④出现载流子屏蔽效应：
例如，对于n型半导体，在电子浓度大于施主杂质浓度时，每一个施主中心都可被很多电子所包围，从而减弱了该施主中心对其外层价电子的束缚势能；当电子浓度足够高时，就会造成施主中心完全丧失了对价电子的束缚作用，即就使得杂质的电离能降到0。对于p型半导体，情况类似。实验表明，在Si中，当ND≈2~3×1017cm–3，或NA≈7×1018cm–3时，相应杂质的电离能即已经减小到0。
此外，在出现载流子屏蔽效应时，杂质中心散射载流子的作用也将大大减弱，这将使得载流子的迁移率明显提高。
载流子屏蔽杂质中心的这种效应，在低掺杂半导体和稀释电解质中特称为Debye-Huckle屏蔽效应；在简并半导体和金属中则往往称为Fermi-Thomas屏蔽效应。
总之，对于简并半导体，随着掺杂浓度的提高，杂质电离能将下降；并且当掺杂浓度提高到一定程度后即出现杂质能带及其导电现象；若掺杂浓度再进一步提高时即发生杂质能带与主能带重叠，同时能带尾伸长，导致禁带宽度变窄。
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